真空脫泡機的日常維護內容
1、清洗真空脫泡機前請務必拔下電源插頭；
2、請用蘸有軟性洗滌劑（如洗手液）的毛巾擦拭外殼，不得使清水掉入設備到機器里面；以免發(fā)生銹跡影響使用；
3、不得使用鋼絲刷等硬物擦拭設備；
4、不準使用不良清洗劑及帶有腐蝕性、揮發(fā)性的化學溶劑擦拭機身，以免機身受損
5、不得在保養(yǎng)過程中插上電源插頭；避免漏電導致不必要的意外發(fā)生；
6、不要與其它耗電量大的電器共用一個插座，以免造成電路過載，引起火災；
7、清潔料杯座。打掃四周環(huán)境，旁邊不要有其它雜物。

手機脫泡機出現脫泡不良的原因
一次脫泡后留下的小氣泡很難再次脫掉，因為氣泡縮小了而相對面積下的OCA變大了，行成圍墻效應，也就是說壓力無法有效傳遞到小面積的氣泡上，導致無法脫泡完成，可以使用單點壓力脫泡的來解決這個問題
Delay bubble 的定義是脫泡完成后立即或某一段時間之后又再次復發(fā)的氣泡，產生的原因歸納為兩種特性：
1，挺性型再發(fā)氣泡
2. 內應力型再發(fā)氣泡
挺性型再發(fā)氣泡 ：
G+G貼合施壓后隨之對TP 油墨段差產生壓力，TP材質挺性不會消失，所以在油墨邊緣就會產生挺性型再發(fā)氣泡，單點壓力脫泡可以消除，但TP挺性卻永遠存在，這就有再次再發(fā)的可能性。這里我們使用”脫泡緩慢泄壓”的方式有效減少TP挺性應力與OCA應力回復的不平衡現象。
另外，通過調整脫泡機參數，通常減少脫泡壓力和降低脫泡溫度對減少
Delay Bubble 有益。
應力型再發(fā)氣泡
這種類型的Delay Bubble 是麻煩的類型，這類型的再發(fā)氣泡是由OCA及OCA與TP/LCM夾層的Particle(雜質)引起的，但不是所有的Particle 都會產生這種類型再發(fā)氣泡，也與Particle 的尺寸大小無關，無法根據單純的量測篩選作防治，主要的關鍵點在于Particle 的立體形狀，一般立體的Particle 容易產生氣泡。

塑膠脫泡機氣體吸附的過程
1.氣體或蒸汽被固體外表浮獲而附著在外表上，構成單層或多層氣體分子層的景象叫做吸附。能捕集氣體的固體叫吸附劑，而被吸附的氣體成份叫吸附質。發(fā)作吸附效果的原因是因為在吸附劑外表存在著力場。
2.依據吸附力的不一樣，氣體吸附可分為物理吸贊同化學吸附。物理吸附是氣體分子受范德瓦爾斯力的招引效果而附著在吸附劑外表之上，與氣體的液化進程相相似，其特點是吸附較弱，吸附熱較小，吸附不安穩(wěn)，較易脫附，但對吸附的氣體通常無選擇性，溫度越低吸附量越大，能構成多層吸附，分子篩吸附泵和低溫泵的吸氣效果就歸于物理吸附。化學吸附是靠固體外表原子與氣體分子間構成吸附化學鍵完成的，與發(fā)作化學反應相相似，同物理吸附比較，化學吸附的特點是吸附強，吸附熱大，安穩(wěn)不易脫附，吸附有選擇性，溫度較高時發(fā)作化學吸附的氣體分子增多，只能緊貼外表構成單層吸附(在化學吸附的分子上面還能構成物理吸附)，濺射離子泵和電子管中吸氣劑的吸氣效果就包含化學吸附。
3.氣體吸附的逆進程，即被吸附的氣體或蒸汽從外表釋放出來從頭回到空間的進程，稱為脫附或解吸。解吸景象可所以天然發(fā)作的，也可所以人為加快的。天然解吸有兩種狀況，一是從微觀均勻地看，每個吸附氣體分子在外表逗留一段時刻后，都要發(fā)作脫附飛回空間，這時也會有其它氣體分子發(fā)作新的吸附，在氣體溫度、壓力必定的條件下，吸附速率與脫附速率持平，外表上的氣體吸附量保持穩(wěn)定；另一種狀況是在抽真空的進程中，空間氣體壓力不斷下降，外表上脫附速率大干吸附速率，氣體吸附量逐步削減，氣體從外表上慢慢放出，這種景象在真空中叫做資料的放氣或出氣。工程中較關懷的問題是外表上的氣體吸附總量和抽暇時的放氣速率，但至今還沒有很準確通用的計算辦法，只能從實踐經驗中總結出：在低真空期間，外表吸附及外表放氣與空問氣體比較，數量很小，其影響能夠忽略不計；在中真空期間，外表放氣量已挨近空間氣體量，對二者應相同注重；進入高真空甚至超高真空期間，外表放氣(不計系統(tǒng)漏氣時)已成為主要氣體負荷，放氣的快慢直接影響著抽暇時刻。
4.經過人為的手法有意識地推進氣體解吸景象的發(fā)作，在真空技能中叫做去氣或除氣。人工去氣能夠縮短系統(tǒng)到達極限真空的時刻；能夠獲得沒有氣體分子隱瞞的清潔外表。加熱烘烤去氣辦法經過進步吸氣外表的溫度，添加分子熱運動能量來推進解吸，邊加熱邊排氣，常用于超高真空系統(tǒng)容器內外表及內部構件的去氣和真空電子器件內燈絲等內部金屬元件的去氣；離子轟擊去氣辦法通常是在空間構成氣體放電，發(fā)作離子體區(qū)，使高能離子轟擊待清潔的固體外表，發(fā)作氣體濺射，使吸附氣體發(fā)作脫附，這是一種適當有用、簡捷敏捷的除氣手法，在薄膜技能、外表科學等有氣體放電條件或有離子源的設備中廣泛選用。